近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一(图1)。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破，彰显了中微公司在技术研发上的深厚积累，进一步巩固了公司在高端微观加工设备市场的领先地位。

图1. 氧化硅、氮化硅和多晶硅晶圆在双反应台上刻蚀速度的差别

在200片硅片的重复性测试中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的测试晶圆，在左右两个反应台上各100片的平均刻蚀速度相差，各为每分钟0.9埃，1.5埃和1.0埃。两个反应台之间平均刻蚀速度的差别（≤ 0.09%），远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别（≤ 0.9%）。

图2.  氧化硅、氮化硅和多晶硅各200片晶圆在双反应台上刻蚀速度的重复性

自2004年创立之初，中微公司始终坚持为达到设备的最高性能和满足客户最严要求而发开，致力于为客户提供高刻蚀性能、高生产效率和节约生产空间的刻蚀设备。2006年，公司研发的第一代双反应台电容耦合CCP刻蚀设备Primo D-RIE®在国际先进的逻辑客户的产线上成功得到核准，随之取得重复订单，得到客户的持续信任与支持。CCP的双台机 Primo D-RIE®和Primo AD-RIE®的加工精度，两个反应台的刻蚀重复性和在生产线上的重复性也早已达到和Primo Twin-Star®相同的水平。

在两个反应台各轮流加工1000片的重复性测试中，两个反应台的平均刻蚀速度相差，只有每分钟９埃，小于1.0纳米（图３）。在海外先进存储器生产线上，全年加工的12万片晶圆的全过程中，两个反应台在两个刻蚀应用上刻蚀速度的差别1sigma小于0.7％（图４）。

图3. 2000片晶圆在Primo D-RIE®双台机的重复性测试

中微公司ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®